纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、认证IEEE将在与该技术具有渊源的旭化地点设置纪念铭牌 。通过制定国际标准 、成微程碑AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办，电延
冈举 历经40余年不断进化的办qt薄技术 。同时 ，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。出版学术论文 、纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，今后 ，
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。信息等IEEE相关领域，举办技术会议等方式
，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件
，致以衷心的感谢 。AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生
、"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，计算机与信息技术等领域的技术创新 。用于表彰在电气 、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。我们深感荣幸 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化
。冷却风扇等各种产品
，HW-300B
、2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。详情如下。实现商业化以来
，员工及各位相关人士
，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌 。是磁传感器的主要组成部分 。HW-300B、并通过传感技术持续创造新的价值
。为设备的小型化和高性能化提供了支持 。谨向为该技术的研发 、因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。来自行政机构 、此次在延冈获得认证 ，HW-300B
、部件的位置以及电流等，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，法定代表人总经理 ：栗田直幸、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、存储设备 、电子 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，HW-101A）
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